Những công nghệ tế bào quang điện thế hệ mới. Công nghệ PV mặt trời N – type:
1. Công nghệ PERC
PERC (Passivated Emitter Rear Cell hay Passivated Emitter Rear Contact) là công nghệ sử dụng một tấm film lắp vào mặt sau của tế bào quang điện kết hợp với các hóa chất trong túi nhỏ trong màng, từ đó tăng khả năng hấp thụ ánh sáng giúp giảm sự tái tổ hợp electron, tăng khả năng hấp thụ ánh sáng, tăng phản xạ nội bộ. Các tấm pin được chế tạo bằng các tế bào PERC có thêm một lớp ở mặt sau của các tấm truyền thống. Lớp bổ sung này cho phép thu nhận nhiều ánh sáng mặt trời hơn và biến thành điện năng, làm cho các tế bào PERC hoạt động hiệu quả hơn các tế bào truyền thống. Các mô-đun PERC cũng có thể giảm thiểu sự tái kết hợp phía sau và ngăn các bước sóng dài hơn trở thành nhiệt có thể làm giảm hiệu suất của tế bào.
Mỗi nhà sản xuất sẽ phát triển và ứng dụng công nghệ này theo nhiều cách khác nhau, một số thay đổi khác đã được phát triển như PERT (mặt sau bức xạ thụ động khuếch tán hoàn toàn) và PERL (Bức xạ thụ động và mặt sau khuếch tán cục bộ).
2. Công nghệ TOPCon
Công nghệ TOPCon thuộc loại tế bào loại N. PV mặt trời loại P và loại N được làm từ tấm wafer silicon. Tấm wafer silicon được pha tạp chất hóa học để cải thiện khả năng sản xuất điện, sự khác biệt giữa loại N và loại P đến từ vật liệu được sử dụng để pha tạp nó. Tế bào loại P được pha tạp boron, trong khi tế bào loại N được pha tạp phốt pho. Ưu điểm của phốt pho so với boron là boron có thể bị phân hủy do oxy, điều này không xảy ra với phốt pho. Ngoài ra, pha tạp phốt pho còn bổ sung thêm các electron tự do vào tấm bán dẫn, giúp tăng hiệu quả. Một trong những dòng PV có sử dụng công nghệ TOPCon phổ biến nhất hiện nay là dòng RISEN 575.
.jpg)
3. Công nghệ HJT
Công nghệ HJT là sự kết hợp giữa hai công nghệ pin mặt trời: silicon tinh thể và silicon vô định hình. Cấu tạo của pin mặt trời HJT gồm ba lớp vật liệu quang điện: lớp đầu tiên và lớp cuối cùng là silicon vô định hình, còn lớp giữa là silicon đơn tinh thể. Trong đó, lớp vật liệu đầu tiên sẽ hút các tia nắng mặt trời, lớp giữa có chức năng chuyển đổi ánh sáng thành điện năng, lớp cuối sẽ giữ lại các photon còn lại sau khi đi qua 2 lớp đầu tiên. Do đó, các tấm pin HJT sẽ thu được nhiều ánh sáng mặt trời hơn, đem đến hiệu suất tốt hơn các tấm pin truyền thống.
4. Công nghệ X-BC
Trong cấu trúc tế bào tiếp xúc ngược xen kẽ (IBC), bộ phát và tiếp điểm đều nằm ở mặt sau của tấm wafer cho phép tối ưu hóa độc lập bề mặt trước cho các đặc tính quang học và bề mặt sau cho các đặc tính điện tử của bộ phát và tiếp điểm. cho thấy hiệu suất vượt trội khi tập trung hoặc chiếu sáng một mặt trời. Ưu điểm của thiết kế này bao gồm không có lưới tiếp xúc che nắng ở phía mặt trời và chi phí bề mặt có khả năng thấp do thiết kế thiết bị mỏng. Hơn nữa, chi phí lắp ráp mô-đun có khả năng thấp hơn vì cả hai địa chỉ liên lạc đều ở phía sau. Cuối cùng, các pin mặt trời có thể được đặt gần nhau hơn trong mô-đun vì không cần khoảng cách giữa các tế bào. sản xuất tế bào trong các ngành công nghiệp pin mặt trời.
Tiếp xúc mặt sau đưa hệ thống thanh dẫn (busbars) thu thập điện tích ra mặt sau.